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看了一篇 IT 之家關于 AMD 處理器受 RowHammer 內(nèi)存攻擊影響的報道，心血來潮了解了一下 RowHammer 攻擊的原理，把了解到的知識記錄下來。

RowHammer 攻擊是一種相對較新的攻擊方式，它利用了現(xiàn)代動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的物理缺陷，這種攻擊方式不同于傳統(tǒng)的軟件漏洞利用，它直接針對硬件的弱點。這種攻擊利用了 DRAM 在運行過程中產(chǎn)生的意外電荷泄漏效應，可能導致存儲器單元泄露電荷并造成比特翻轉。這個問題主要是由于現(xiàn)在 DRAM 存儲單元高密度排列造成的。通過在一定模式下的高頻率反復內(nèi)存訪問，攻擊者可以在其原本無權訪問的內(nèi)存區(qū)域引發(fā)存儲值的變化。這種攻擊可以導致權限提升、數(shù)據(jù)泄漏和拒絕服務等安全問題。

要理解 RowHammer 攻擊，首先需要了解 DRAM 的工作原理。DRAM 通過存儲電荷在電容中來保存信息，每個電容與一個訪問晶體管相連，共同構成一個存儲單元（Cell，如下圖所示）。電容充滿電，存儲單元就是 1，電容放完電，存儲單元就是 0，晶體管用來控制電容充放電。

這些存儲單元被組織成多行多列，形成一個二維陣列（Bank，如下圖所示）。當讀取或寫入內(nèi)存數(shù)據(jù)時，一個存儲單元行會被激活，整行的數(shù)據(jù)會被加載到行緩沖器（row-buffer）中，同時存儲單元中的電容放電，在行緩沖器內(nèi)完成數(shù)據(jù)的讀寫操作。在操作完成后，行緩沖器內(nèi)的數(shù)據(jù)會寫入原來的存儲單元行之中，同時存儲單元中的電容充電。所以，不論是讀還是寫數(shù)據(jù)，存儲單元都會充放電。

在內(nèi)存如“白菜”價的今天，不改變內(nèi)存電路板面積大小的前提下，為了能存儲更多的數(shù)據(jù)，只能將存儲單元排列的越來越近，密度大幅度增加。雖然芯片的制程有所提升，但每個電容之間的隔離不是完全的。當一個行被頻繁激活時，相鄰行的電容可能會受到電磁干擾，導致存儲的比特從 1 翻轉為 0，或者相反。這種比特翻轉可以被惡意利用，攻擊者可以通過精心設計的內(nèi)存訪問模式來控制比特翻轉的位置和結果。通過高頻率地讀取 DRAM 中的某一行，可以影響到相鄰行中的數(shù)據(jù)，這種現(xiàn)象被稱為 RowHammer，因為它就像用錘子反復敲擊內(nèi)存行一樣。如下圖所示，第 1、3 行是攻擊行，這兩行中間是被攻擊行，攻擊行不停地充放電，中間行大概率會出現(xiàn)比特翻轉。

即使理解了 RowHammer 攻擊的原理，如果不知道哪些存儲單元里隱藏著關鍵數(shù)據(jù)，毫無目的的去攻擊也沒有意義。更何況程序在訪問內(nèi)存數(shù)據(jù)時，并不會直接使用內(nèi)存中的真實地址，而是使用虛擬地址映射的方式進行訪問。這使得找到數(shù)據(jù)的真實地址變得更加困難，所以很長時間以來，對于 RowHammer 攻擊的研究只停留在理論階段，解決這個問題的關鍵在于如何實現(xiàn)逆向 DRAM 地址映射。由百度安全所研究設計的逆向工具 DRAMDig 能夠在平均 7 ~ 8 分鐘時間，快速、可靠地逆向出 DRAM 地址映射，解決了這一復雜的問題。感興趣的朋友可以閱讀這篇論文《DRAMDig: A Knowledge-assisted Tool to Uncover DRAM Address Mapping》（DOI: 10.1109/DAC18072.2020.9218599）。

盡管 RowHammer 攻擊非常強大，但也不是無法防御的。從硬件層面，新的 DRAM 芯片中實現(xiàn)了各種緩解措施，如目標行刷新（Target Row Refresh, TRR），或者使用支持 ECC 的 DRAM 內(nèi)存。軟件層面的解決方案包括增加內(nèi)存訪問的隨機性，以減少連續(xù)訪問同一行的可能性。

轉自博客園，作者張高興https://www.cnblogs.com/zhanggaoxing/p/18099550